Полупроводниковые системы

EKZ 3000


По сравнению с существовавшими ранее установками для тигельного вытягивания конструкция и исполнение нашей установки EKZ 3000 представляют собой значительный шаг вперед на пути развития систем для выращивания кристаллов. Этот тип установки разработан с учетом всех имеющихся на момент создания знаний; кроме того, были использованы и ноу-хау наших заказчиков из разных стран мира. Эти установки полностью соответствуют необходимым условиям, которые выдвигаются в связи с высокими требованиями к качеству кристаллов и серийной производительности.

Kronos


При использовании метода Vertical Gradient Freeze (VGF) кристалл выращивается в тигле за счет направленного отверждения за счет вертикальных перепадов температуры. Не уступая по простоте методу Чохральского (Czochralski), этот процесс имеет ряд преимуществ перед ним; в частности, при его использовании в кристалле возникают меньшие напряжения, и наблюдается меньшая плотность дефектов. Этот метод особенно хорошо подходит для выращивания кристаллов соединительных полупроводников, например GaAs и InP, но подходит и для производства германия или CaF2.

SiGe-Epitaxie Typ Delta


Эта установка низкого давления/низкой температуры предназначена для обработки SiGe или SiGe:C на кремниевых полупроводниковых пластинах диаметром 200 и 300 мм по методу Chemical Vapor Deposition (CVD). Модульная система с вертикально расположенным реактором предназначена для поочередной обработки кассет. Уникальные преимущества, отличающие эту установку от систем, работающих по другим методам, заключаются в универсальности применения (SiGe/SiGe:C/Si для технологии flash epi), высокой производительности (примерно 50 пластин в час), большом выходе готовой продукции, а также возможности селективного нанесения слоев. Эта установка, как и другая продукция CGS, изготовлена из высококачественных материалов с высочайшим качеством обработки.

FZ 14


Эта установка представляет собой хорошо продуманное оборудование, соответствующее требованиям к выращиванию кристаллов кремния диаметром до 4 дюймов, а также имеющее компактные размеры. Установка рассчитана для выращивания кристаллов длиной 1300 мм и производит 3-дюймовые кристаллы длиной до 1300 мм и 4-дюймовые кристаллы длиной до 450 мм.

FZ 14 M


Установка FZ-14M разработана специально для выполнения аналитических задач. Это установка для выращивания кристаллов кремния с плавающей зоной, разработанная в строгом соответствии с требованиями стандартам ASTM F1723-96. Установка FZ-14M превращает миниатюрные стержни поликристаллического кремния в монокристаллический кремний для оценки качества и чистоты поликристаллического материала. Стандарт F1723-96 требует, чтобы образцы сердцевины поликристаллического кремния превращались в монокристаллический кремний в установках для выращивания с плавающей зоной. Стержень преобразуется за один проход в инертном газе (аргоне). Монокристалл анализируется по методу спектрометрии для выявления следов примесей в поликристаллическом кремнии. К примесям относятся акцепторы (бор и/или алюминий), доноры (фосфор и/или мышьяк), а также углерод.

SR 110


Эта установка очень эффективна, поскольку одновременно производит два тонких стержня с помощью ВЧ-катушки с двумя отверстиями, подключенной к одному генератору. Мы приложили все возможные усилия, чтобы сделать данную установку очень удобной в управлении и обеспечить возможность ее быстрого перезапуска после выемки готовых тонких стержней. Накал заготовок стержней поддерживается во время выемки. Это возможно благодаря наличию специального клапана, который перекрывает доступ между главной и верхней камерами в ходе процесса. Из одного набора заготовок стержней можно изготовить 12–50 тонких стержней (в зависимости от диаметра заготовки и длины готовых стержней).

SC 22


Наша установка SolarCrystallizer 22 сконструирована и оптимизирована для серийного производства кристаллов кремния в солнечной энергетике. В установке этого типа инновационные технологии, основанные на фундаментальных знаниях в области полупроводников, целенаправленно воплощены ради экономичного производства изделий для переработки солнечной энергии, которые требуют снижения себестоимости.

EKZ 2700


В наших установках испытанные механические и электрические элементы сочетаются с инновационными компонентами для управления и регулирования процессов. Они превосходно зарекомендовали себя в серийном производстве кристаллов кремния диаметром 205 мм (8 дюймов). Размеры котла позволяют устанавливать 22-дюймовый нагреватель.

EKZ 3500


Установка EKZ 3500 предназначена для серийного производства кристаллов кремния диаметром до 300 мм (12 дюймов). Типичный вес загрузки находится в пределах 120–200 кг в зависимости от применяемого для увеличения загружаемой партии нагревательно-пополняющего устройства. Этот тип установки разработан для полупроводниковой отрасли, но не менее успешно применяется и в производстве фотовольтаических систем.

CGS-Lab


Установки данного типа используются преимущественно в лабораторных исследованиях. С их помощью можно выращивать монокристаллы малого формата и другие материалы по методу Чохральского. Эти установки также позволяют быстро и экономично проверять материалы (например, поликристаллический кремний) на предмет соответствия стандартным требованиям.

Multi Crystallizer


Вакуумная печь для направленного отверждения (процесс VGF) поликристаллических кремниевых блоков, используемых в производстве полупроводниковых пластин для фотовольтаических систем.

Главный офис:

г. Москва, Большой Саввинский пер., д. 12, стр. 5
Тел. / факс: +7 (495) 967-36-67
info@trasant.ru